技术编号:6096058
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种辐射探测系统,它包含一个探测辐射的多晶材料宽带隙半导体连续膜,还涉及制备其中用的所述连续膜的方法,以及成像系统所用的图形接收器,它包括薄的、由探测辐射的宽带隙半导体材料成的连续膜。碘化汞(HgI2)、碲化镉(CdTe)、碲化镉锌(CdZnTe)、和碘化铅(PbI2)单晶都是公知的在室温条件下工作的宽带隙半导体X射线和γ辐射探测器。问题在于生产高质量单晶是非常昂贵的;在任何需要以较小面积的晶体覆盖较大面积的场合,就需要将它们排列成镶嵌结构形式,...
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