技术编号：6098556
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法，更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法，属于微电子学与固体电子学领域。背景技术 绝缘体上的硅(SOI)材料以其独特的体硅-绝缘层-单晶硅薄膜的多层复合结构，已经成为硅内至关重要的部分，得到了广泛的应用。SOI电路具有高速，低功率，抗辐照等优点，在航空航天、军工电子、便携式通讯领域具有重要的应用背景，基于SOI的微机电系统，射频电子系统等也越来越受到人...
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