技术编号:6102110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件可靠性的测试结构,尤其是一种金属互连线电迁移的测试结构。本发明还涉及一种金属互连线电迁移的测试方法。背景技术 金属互连线的电迁移是微电子器件中主要的失效机理之一,电迁移造成金属互连线的开路和短路,使器件漏电流增加。在器件尺寸向亚微米、深亚微米发展后,金属互连线的宽度也不断减小,电流密度不断增加,更易于因发生电迁移现象而失效。因此,随着工艺的进步,金属互连线电迁移的评价就备受重视。但是,传统的电迁移评价方法需要对样品划片后进行封装测试...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。