技术编号:6102196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及一种将压力敏感元件制作于硅覆绝缘晶片上、利用反应性离子深蚀刻工艺形成压力传感器的腔体,并利用树脂类接合胶或玻璃胶(glass frit)接合硅覆绝缘晶片与接合基底的方法。背景技术 压力传感器(pressure sensor)为微机电(MEMS)产品中常见的元件之一,而其中压阻式(piezoresistor)压力传感器更为目前最广为应用的压力传感器。请参考图1至图3,图1至图3为公知制作压阻式压力传感器的方法示意图。如图1所示,首先提...
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