基于静电力驱动的微结构谐振双侧弯曲疲劳试验装置的制作方法技术资料下载

技术编号:6102932

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本发明用于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)结构材料多晶硅疲劳特性的研究,属于微纳米技术基础研究领域。背景技术 研究发现,在宏观状态下属于脆性材料的硅在微纳米尺度下会产生疲劳特性,对于发生这种变化的机理目前还不太明确。了解这种机理并测量硅在微米尺度下的疲劳特性参数对于MEMS可靠性设计及寿命预测有着重要的意义。传统宏观尺度下的疲劳试验一般由专用的材料疲劳试验机进行,主要有液压、电磁等驱动方式,标准试样用卡...
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