技术编号:6102932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明用于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)结构材料多晶硅疲劳特性的研究,属于微纳米技术基础研究领域。背景技术 研究发现,在宏观状态下属于脆性材料的硅在微纳米尺度下会产生疲劳特性,对于发生这种变化的机理目前还不太明确。了解这种机理并测量硅在微米尺度下的疲劳特性参数对于MEMS可靠性设计及寿命预测有着重要的意义。传统宏观尺度下的疲劳试验一般由专用的材料疲劳试验机进行,主要有液压、电磁等驱动方式,标准试样用卡...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。