技术编号：6108601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体器件的老化。其还涉及用于控制老化期间的温度的系统和方法。背景技术 通过执行老化操作，针对缺陷来筛选半导体器件(例如，微处理器)，其中老化操作使器件经受测试条件，包括升温测试条件。然而，由于老化功率、环境温度、气流和热沉性能方面的差异，所有的待测试器件可能在测试期间并不经历相同的温度。晶片制造工艺的差异是老化功率的差异的主要原因。制造工艺的差异可以引起一个部分与另一部分的泄漏电流相差多达100％。尽管来自芯片的泄漏电流与芯片上的晶体管...
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