技术编号:6108976
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及信号处理领域,具体涉及X射线或伽马射线光谱测定法。该技术使用常常包含载荷子聚集缺陷的半导体探测器。背景技术 在入射辐射光谱测定法中,尝试确定由X或伽马光子的相互作用产生的载荷子的量。为此,使用电极将电场施加到半导体材料,以便排出这些电荷并感应具有与电荷的量成比例的振幅的电信号。不幸地,半导体的不完全的输运特性致使该载荷子的量的测量是困难的事实上,部分电荷没有到达电极。这是不完全聚集的问题。为校正该不完全聚集而提出的一种技术利用,除振幅的测量之外,...
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