技术编号:6109026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及如权利要求1前序部分所述的磁阻传感器元件。非接触角度测量主要应用于磁阻传感器。因为磁阻传感器所基于的固态效应是角度效应 测量磁场的传感器元件(所谓的A(各向异性)M(磁)R(阻)传感器)是基于各向异性磁阻效应的。目前,如文件DE10104453A1中的例子所描述的,AMR角度传感器主要被设计为全惠斯登电桥。这样一个全惠斯登电桥的转换函数由下面方程给出voutVcc=12·Δρ&...
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