技术编号:6110014
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用磁阻传感器测量外磁场值的方法和设备。背景技术 目前已知包括基于电子自旋效应(effect of electron spin)的磁阻的多种类型的磁阻传感器。在所有情况下,构成该磁阻的材料的电阻在磁场出现时改变。已知的磁阻特别包括各向异性磁阻(AMR);巨磁阻(GMR);隧道磁阻(TMR);以及庞磁阻(CMR)。目前巨磁阻主要用于读取头(read heads)。在更多目前的设计中,隧道磁阻特别用于作为磁随机存取存储器(MRAM)的构建块(buil...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。