技术编号:6112284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,其可侦测、记录并运算金属刻蚀 缺陷致生的光激发光谱信息,通过分析刻蚀后金属表面缺陷的侦测装置及其侦测方法。背景技术半导体工艺常用到腔室刻蚀(Chamber Etching)技术,例如等离子刻蚀法(Plasma Etching)、反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching, RIE)或溅射刻蚀(Sputter Etching)等, 这些刻蚀造成的缺陷常可提供工艺改进的参考信息,故刻蚀侦测方法导入刻蚀工艺,有助于 由金属表面缺陷的判...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。