技术编号:6113988
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在生产过程中对处于晶片状态、处于装配状态等状态下的半导体芯片实行无损检验的方法,更具体地说,涉及一种用于检测或检验具有包括短路、增大电阻或者断线的损耗的部分的方法。背景技术 通常,作为半导体芯片中故障和缺陷分析的一部分,这种无损检验技术已经用于以无损方式检测p-n结的缺陷部分。附图说明图15说明了常规的原理。当激光束2照射在p-n结1上时,产生一对电子3和空穴4。它们中的每一个通过p-n结1的空白层的电场和外部电源5的电场流入相反方向。因...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。