技术编号：6114551
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种电容测量电路与方法，且特别是有关于一种以电荷为基准(charge-based)的电容测量电路与方法。首先，如附图说明图1A所示，在PMOS晶体管P1与NMOS晶体管N1的栅极分别施加Vp、Vn的异步电压。另外，在PMOS晶体管P2与NMOS晶体管N2的栅极分别施加VDD的电压。此时，电流会从PMOS晶体管P1流到电容C(电流IC1)，并对电容C充电。接着，电容C以电流I沿NMOS晶体管N1放电到接地端。接着，请参考图1B，在PMOS晶体管...
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