技术编号：6114712
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用了由钉扎层和自由层构成的磁阻效应元件的磁传感器、该磁传感器的制造方法、及适合于该制造方法的磁铁阵列。背景技术 至今，在磁传感器中应用着大型磁阻元件(GMR元件)等磁阻效应元件，该大型磁阻元件具有磁化方向被钉扎(ピン)(固定)在规定方向上的钉扎(ピンド)层和磁化方向根据外部磁场而变化的自由层，呈现出对应钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向的相对关系的电阻值。在这样的磁传感器中，为了高精度地检测微小的外部磁场，必须要将没对该磁传感器施加该外部磁场时...
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