技术编号：6122868
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及基片制造技术，以及特别涉及确定基片温度 的装置以及方法。背景技术在基片(例如，半导体基片或如用在平面显示器制造中的玻璃 面板)处理中，通常会应用等离子。作为示例的基片处理的一部分，该基片分为多个模片(dies),或者矩形区域，其每个将变为一个集 成电路。然后在一系列步骤中处理该基片，在这些步骤中选4奪性地 去除(蚀刻)和沉积材^K对于大约凄t个纳米级的晶体管门关4建尺 寸(CD)的控制是至关重要的，因为该目标门长度的每个纳米的偏 差可直接转...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。