技术编号：6123616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体结构的光学特性刻画，尤其，涉及使用光一调制反射率 来给出半导体结构中应变和活化的掺杂剂的特性。背景技术在制造电子器件的工艺控制中需要高灵敏度的非一破坏性测量技术。为了 在生产期间能获得早期可能的反馈，需要在器件完工之前给出其电子特性。重 要的是，支配器件工作的物理现象发生在极薄的活化层中，由于它们的体积很 小而难于给出其特性。例如，先进的晶体管结构可以包括薄的有应变的硅层， 其中硅晶格的应变控制了晶体管的电气特性。诸如椭圆偏光法之类传统的度...
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