技术编号:6128263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的可靠性测试的方法和装置。 背景技术可靠性(Reliability)可以简单描述为产品在正常使用条件下,能顺利工 作的使用寿命(Lifetime),对半导体器件(例如MOS器件)进行可靠性测试是 半导体集成电路的制造过程中的重要组成部分。为了在短时间内测得半导体 器件的可靠性,通常会使用加速测试实验,即对半导体器件施加加速其性能 退化(degrade)的应力条件(stress,是指比正常工作条件高的环境温度、湿 度、电压、电流、压力等)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。