技术编号：6129877
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及微机电系统(MEMS)器件加工技术，特别是一种微机电系统器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，属于电学及半导体领域。 背景技术 在MEMS器件结构中有多层绝缘材料，例如二氧化硅制作的牺牲层、氮化硅，这些材料的厚度是MEMS结构中非常重要的参数，它直接决定了可动结构的纵向移动范围，因此对这些绝缘层厚度进行测试和工艺监视是极具意义的。目前的绝缘层厚度测试大多采用光学或机械的方法，测量速度慢，不能够实现器件结构参数模型的自动提取，因此，快捷有效的测...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。