技术编号：6133491
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于传感器，特别是光寻址电位传感器。光寻址电位传感器(LAPS)的基本原理是表面光电位法。基于电场效应，传感器的敏感薄膜与电解质溶～液界面产生与溶液pH值成正比的能斯特电位。利用光生伏特效应，光照在硅单晶片上产生光生载流子，在偏置电压作用下产生光电流。以调制光电流的形式检测半导体/敏感薄膜/电解质界面的电位变化。进一步通过光扫描或调制光束选择地对器件不同敏感薄膜实现寻址。LAPS可在一个硅片上实现多功能、多参数测量。虽然信号很微弱，采用锁相放大器可以...
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