技术编号：6138949
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶片测量，特别是。背景技术 半导体晶片的亚表面损伤层通常位于晶片表面下亚微米尺度范围，一般认为是具有高密度位错的损伤区，产生于晶片化学机械抛光过程。随着半导体器件芯片尺寸日趋微小、结构日趋复杂，亚表面损伤层对器件的影响日益重要，尤其是用于外延材料生长的开盒即用的半导体晶片，亚表面损伤层直接影响到外延材料乃至器件的光电性能。虽然可以通过化学腐蚀的办法去掉亚表面损伤层，但是化学腐蚀会引起表面的粗糙不平，这对外延材料生长和器件生产是很不利的。采用...
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