技术编号：6139173
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器及电流传感方法，属电子器件技术，特别涉及传感器制作技术。现在市售的用磁阻芯片制造的电流传感器是采用镍铁-镍钴合金薄膜磁阻芯片的。由于这种磁阻芯片的灵敏度比较低，而且还有当磁场增大到一定程度时，磁阻效应易出现饱和等的缺点，这样既需要比较强的电流才能感应出一定的输出电压，而又需要防止电流太大时出现饱和。它通常测量的只是1A以上至20A的大电流，而在实际应用中，往往要监测1A以下甚至0.1A以下的弱电流，因此，小电流场...
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