技术编号:6140390
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体功率器件失效分析的失效点定位技术,特别涉及一种结合了化学腐蚀技术的失效点定位方法。背景技术半导体功率器件由于其特殊的垂直晶体管结构设计,使得在芯片的表面覆盖了4um或大于4um的金属层(一般为铝层),而背面作为背电极,最外层也覆盖了超过I 3um的金属层(一般是钛/镍/银的叠层),而这种结构使得一旦出现半导体功率管失效后,想要进行精确的失效点定位工作变得非常困难。因为不管是针对漏电点的电子孔穴对复合发光捕捉的微光显微镜技术,还是利用激光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。