技术编号:6140690
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型是锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器,属电子器件技术,特别涉及传感器制作技术。现在市售的用磁阻芯片制造的电流传感器是采用镍铁-镍钴合金薄膜磁阻芯片的。由于这种磁阻芯片的灵敏度比较低,而且还有当磁场增大到一定程度时,磁阻效应易出现饱和等的缺点,这样既需要比较强的电流才能感应出一定的输出电压,而又需要防止电流太大时出现饱和。它通常测量的只是1A以上至20A的大电流,而在实际应用中,往往要监测1A以下甚至0.1A以下的弱电流,因此,小电流场合并不实用...
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