技术编号：6145396
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及用于等离子体处理的装置和方法，并且更具体地说涉及用于监 视等离子体处理系统的参数的装置和方法。背景技术在诸如半导体或平板显示器的制造的等离子体处理应用中，RF功率发生器向等离 子体腔中的负载施加电压，并且可以在大范围的频率上操作。在等离子体处理工业中的经 验已经能够将特定的等离子体参数(例如，离子密度、电子密度和能量分布)与处理材料 (例如，晶片)的特性(例如，均勻性、膜厚度和污染水平)相关联。另外，存在将晶片特性 与整体质量相关联的大量知...
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