技术编号：6148087
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域及材料分析领域，尤其涉及透射电子显微镜(TEM，Transmission Electron Microscope)检领lj样片的制备方f去。背景技术离子注入工艺是常见的半导体制作工艺，其原理通常为基于硬掩膜(hardmask)，在一定工艺条件下，向半导体基体上该硬掩膜定义出的离子注入区域注入离子，聚合物(Polymer)是一种常用的硬掩膜材料。 随着技术发展，半导体器件特征尺寸逐渐减小，从而对半导体制作工艺提出了越来越高的要求。对于...
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