技术编号:6152510
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对曲面基底上的光刻胶厚度进行全场测量的方法,属于微光学领域。背景技术随着光刻技术的发展,曲面激光直写技术成为光刻技术发展的新方向。曲 面胶层的厚度分布决定了最终三维浮雕微结构的效果。曲面基底胶厚分布在理 论上就是不均匀的,并且不均匀度与基底的曲率相关,这样就需要得到胶层的 准确厚度分布。现有的测量技术中台阶仪法和椭偏仪法较为适合胶厚的测量。台阶仪法为 应力方式,破坏胶层表面,且只能测量平面胶层,对曲面胶层无能为力。椭偏仪法具有较高的测量精度,适合...
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