技术编号:6154889
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及检测CMOS工艺硅栅随机缺陷的方法,属于集成电路制造领域。 背景技术在集成电路制造过程中,由于各种不确定原因导致芯片上的硅栅和设计预期的 硅栅出现差别,表现为硅栅中硅材料意外缺失或增加,在电学性能上表现为电阻异常增 加或减小。硅栅电阻的改变会影响芯片的性能和功能,影响芯片的成品率。 这些缺陷表现为随机的概率事件,称为随机缺陷。导致硅栅随机缺陷产生的 原因有机器磨损导致颗粒、Wafer表面留有污染物、多晶硅淀积时存在杂质、光刻时Photo Res...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。