技术编号：6158506
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体测试，涉及一种功率MOSFET器件雪崩能量测试仪。 背景技术功率MOSFET器件由于制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、速度快、功耗低、价格便宜等优点，在电力电子设备中广泛应用。随着半导体技术的快速发展及对可靠性、失 效模式等认识的深入，给芯片设计厂商也带来了全新的挑战。因此，如何在芯片尺寸不断縮小的情况下，使产品能更为安全、可靠、长寿命，成为当今各大功率半导体厂商共同面临的 巨大考验。特别是功率MOSFET在高频开关和汽车电子等特殊工作...
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