技术编号:6165196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体工艺和装置提供具有三个差分传感器配置的高性能磁场传感器,其仅需要两个不同的钉扎轴,其中以具有四个未屏蔽磁隧道结传感器阵列的Wheatstone桥结构来形成每个差分传感器,其每个包括磁场脉冲生成器以用于有选择地施加场脉冲以稳定或恢复感测层的易轴磁化,从而在测量小磁场之前将磁化取向成正确的配置。将场脉冲依次施加到Wheatstone桥结构的感测层群组,由此允许较高电流脉冲或较大传感器阵列尺寸以获得最大的信噪比。专利说明[0001]本申请要求享有201...
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