技术编号：6165945
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。包含材料的活性层沉积于其上的基质(S)的氢气传感器，所述材料包含选自稀土族的第一元素、选自铂系金属(PGM)的第二元素和选自碱土金属族的第三元素。所述材料的一个实例为LaMg2Pd。专利说明发明领域[0001]本发明涉及氢气传感器和并入这类传感器的氢气检测器，所述检测器容许检测氢气和/或测量传感器置于其中的介质中的氢气浓度。本发明还涉及生产氢气传感器的方法。现有技术[0002]具有有关特征的已知氢气检测器和传感器是生产起来昂贵的产品，因此对在整个市场中的使...
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