技术编号:6167241
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包含光源(20)、(22),其对半导体衬底(S)照射用于产生光致载流子的、波长不同的光;微波产生部(10),其产生对半导体衬底(S)照射的微波;检测部(30),其检测穿透半导体衬底的微波的强度;以及运算部(50),根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度,计算光的波长各自对应的有效载流子寿命,根据计算出的波长各自对应的有效载流子寿命计算半导体衬底(S)的体内载流子寿命和表面复合速度。专利说明 [0001] 本发明涉及一种。 背景技术 [0002...
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