技术编号:6168011
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种SCM样品横断面的制备方法,包括在晶片上形成标识,确定目标样品的位置;根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片;采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片,形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口;按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化,湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧,以暴露出所述目标样品的横断面;按照第二配方对所述目标样品的横断面进行热氧化,以形成SCM样品横断面。避免后续横断面的结构缺陷,同时省去了化学机械...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。