技术编号：6170032
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种MOCVD工艺生长的红外测温方法及装置，其特征在于测温过程中包含以下步骤先测量物体的发射率，根据基尔霍夫定律计算得到其发射率；将发射率大小与发射率阀值作比较，如果测量发射率小于阀值，就采用单波长加发射率修正方法测温；否则采用远红外双波长方法测温，当远红外波长中较大波长的能量超过测试量程，就采用近红外双波长测温，同样当近红外中较小波长能量低于测试量程，就跳转至远红外双波长测温。本发明的优点是通过有效结合单双波长测温优点选择不同方法测温，解决了MOCVD生...
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