技术编号:6170871
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了,先利用正电荷模式的电压对比度检测得到具有高清晰度BVC的第一电压对比度图像,捕捉半导体样品中潜在的漏电缺陷位置,再通过负电荷模式的电压对比度检测对BVC的位置再次扫描得到第二电压对比度图像,通过第二电压对比度图像的DVC对BVC进行筛选并得到准确的BVC分类,得到高纯度高危险的漏电缺陷。专利说明—种漏电缺陷检测方法 [0001]本发明涉及一种半导体可靠性分析方法,特别涉及。 背景技术 [0002]目前,半导体器件的可靠性分析方法种类...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。