技术编号：6171123
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了...
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