技术编号：6173191
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底202，以及位于半导体衬底202上通过掺杂形成的源极101和漏极102，源极101和漏极102之间有一个被刻蚀到半导体衬底202内部的凹槽结构，在该凹槽结构表面生成离子敏感膜103，就形成了栅绝缘层。由于本发明中凹槽结构是被刻蚀到半导体衬底202内部的，有一定的深度，这样的结构能对溶液201中的被测氢离子起到屏蔽保护的作用，使得在测量氢离子浓度时免遭周围环境中电磁场的干扰...
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