技术编号：6175541
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种纳米压电免疫传感器的制备方法，本发明用纳米金颗粒修饰压电石英晶体金电极，然后用酒精和去离子水冲洗后氮气干燥，采用自组装技术将抗-大肠杆菌O157H7抗体修饰于纳米金表面，再将所述压电石英晶体用乙醇胺溶液处理即得到纳米压电免疫传感器。本发明纳米压电免疫传感器制备方法简单，用于大肠杆菌O157H7的检测方法简易便行、响应时间短，为食源性致病菌的快速检测创造了重要条件。专利说明一种纳米压电免疫传感器的制备方法及其应用[0001 ] 本发明涉及一种...
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