技术编号:6176250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种小电容失配特性的测试结构,包括由两对PMOS/NMOS管组成的两个完全对称设置的类反相器,其中PMOS管的栅极共同连接PMOS时钟信号端;NMOS管的栅极共同连接NMOS时钟信号端,PMOS时钟信号端和NMOS时钟信号端控制每一对PMOS管和NMOS管不同时导通。每一对PMOS管和NMOS管的漏极连接待测的小电容的一端,且漏极与地之间有寄生电容。两个小电容的另一端均连接控制信号端,在第一测量时间段内控制信号端发出的控制信号为低电平;在第二测...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。