技术编号：6176431
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高倍过载1KPa硅微压传感器芯片及方法，其特征在于梁—单岛双面双片微结构上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬芯形敏感膜片；下芯片正面除周边封接面外是过压截止槽，中心有引压通孔；上、下芯片由硅橡胶密封后，经划片分割后形成单个微压传感器芯片。采用MEMS技术制造压力敏感电阻和“I”形梁结构、用KOH湿法腐蚀、上芯片背面制造单硬芯形敏感膜片、用KOH湿法腐...
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