技术编号：6176452
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，通过所述前处理方法将所述碳化硅粉体样品制成适合通过激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定的块状样品，所述前处理方法包括（1）将碳化硅粉末研磨后过筛；（2）直接使用手动压片机将过筛后的碳化硅粉末压成圆片，其中压力为8～12Mpa，保压时间为30～50秒；（3）将所述圆片程序升温至1000℃保温烧结2小时；以及（4）程序降温至室温。专利说明[0001]本发明属于分析化学领域，涉及一种适合通过激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法分析测定的碳化硅粉末样品的前...
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