一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法技术资料下载

技术编号:6178513

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本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法,该方法包括制作GaN基LED测试样品,利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压,对所述测试样品的n电极接正电压,p电极接负电压,形成反向偏压,对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压,测量其光致发光谱,并记录其发光波长,然后分步增大反向偏压,并测量其光谱和波长,在波长由逐渐变短转为变长时,停止增大反向偏压并停止测量,利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压,根...
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