技术编号:6178513
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法,该方法包括制作GaN基LED测试样品,利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压,对所述测试样品的n电极接正电压,p电极接负电压,形成反向偏压,对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压,测量其光致发光谱,并记录其发光波长,然后分步增大反向偏压,并测量其光谱和波长,在波长由逐渐变短转为变长时,停止增大反向偏压并停止测量,利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压,根...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。