技术编号：6183853
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种单晶硅位错腐蚀剂，由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。该单晶硅位错腐蚀剂能腐蚀出低密度位错，且无刺激性气味，环境友好。本发明单晶硅位错检测方法为将待检测的单晶硅浸入单晶硅位错腐蚀剂中进行腐蚀，方法简单，检测效果好。专利说明[0001]本发明属于单晶硅缺陷检测，涉及一种单晶硅位错腐蚀剂，还涉及单晶硅位错检测方法。背景技术[0002]随着世界经济的不断发展，现代化建设对高效能源需求不断增长。光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。