技术编号:6185295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种压力传感器敏感元件的制造工艺,其第一、第二掺硼P型微晶硅条为由若干根沿径向排列的微晶硅电阻丝首尾连接组成;在杯形衬底附近通入高纯氧气与氩气的混合气体,混合气体氧气氩气体积比为113,总气压大小为Pa,在250℃温度下,用加速能量为2000eV的氩离子束轰击99.95%的二氧化硅靶材,沉积厚度1~5μm作为绝缘隔离层的二氧化硅隔离层;以电阻率为Ω﹒m掺硼硅为靶材,在高纯氩气的气氛中,用离子束溅射方法,生长温度为300℃,通过覆盖第一掩模板在二氧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。