技术编号：6186337
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种判断IGBT模块局部放电位置的方法，包括s1、测量试验IGBT模块缺陷的位置；s2、对上述试验IGBT模块缺陷进行测量得到其局部放电脉冲的相位分布，获得缺陷位置与放电脉冲相位分布的对应关系，并存储在数据库中；s3、对被测IGBT模块进行测量得到其局部放电脉冲的相位分布；s4、将被测IGBT模块的局部放电脉冲的相位分布与数据库进行比较，得到被测IGBT模块的缺陷位置。本发明的判定方法就是为了解决测试当中无法判断视在电荷较大的原因等问题。通过对...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。