技术编号:6186985
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括以下步骤先对衬底进行彻底的清洗,清洗后干燥;在衬底的表面制备栅电极,形成栅电极的图形;在镀有栅电极的基板的上制备介电层;对形成的介电层进行紫外光辐射;在已形成栅电极,以及己覆盖经紫外光辐射的介电层的基板上制备有机半导体层;然后制备源电极和漏电极,形成源电极,漏电极图案,气体的响应率显著提升,探测浓度下限更低;相对单晶的晶体管,有机薄膜晶体管更加容易制备,成本更低;基于界面修饰的有机薄膜晶体管将具有更快的响应速度,能实现气体的快速检测;降低...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。