技术编号:6200421
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种二极管探测器领域,特别涉及。背景技术近年来,基于电荷耦合器件(CCD,Charge Coupled Device)和CMOS有源像素图像传感器(CMOS APS, Active Pixel Sensor)的成像技术取得了很大的进步,但随着量子信息技术的发展,这种传统成像技术的成像速度和像素灵敏度遭遇了巨大挑战。越来越多的领域需要探测和处理极弱的高频光信号,单光子探测逐渐成为国内外研究的热点。单光子雪崩二极管探测器(SinglePhoton A...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。