技术编号：6209415
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提出了一种测试结构，用于监测半导体芯片的性能稳定性，包括多个测试单元，所述测试单元包括PMOS、与平行PMOS并保持一定间距的NMOS、形成于PMOS和NMOS之上的公共栅极、位于NMOS之下的N型衬底以及位于NMOS、PMOS以及N型衬底之上的多个通孔连线，所述NMOS包括一预掺杂区，所述预掺杂区具有预定宽度。测试单元中包括NMOS、PMOS以及公共栅极，在测试单元形成之后通过对测试结构进行性能检测便能够检测出所述NMOS的预掺杂宽度是否会对测...
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