技术编号:6217882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于红外线的量测于硅穿孔周围应力及缺陷的侦测,其提供一种基于IR的测量的方法用以侦测在半导体装置的TSV周围的应力及/或缺陷。具体言之,在一典型具体实施例中,IR光束会由IR光源射出穿过在TSV周围的材料。一旦该IR光束穿过在该TSV周围的材料,用一或更多算法分析该光束以确定有TSV应力及/或缺陷(例如,嵌入裂痕等等)有关的信息。在一具体实施例中,该IR光束可分成第一部分与第二部分。该第一部分会穿过在TSV周围的材料同时该第二部分绕过该TSV...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。