技术编号：6219765
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度-通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并由输出特性曲线计算通态电阻；最后，根据之前的温度-通态电阻关系曲线，得到该通态电阻对应的结温。本发明采用无开关装置结温测量法，消除了因开关切换延迟引起的结温测量误差。利用图示仪给被测器件加窄脉冲大电流，可避免器件自升温对结温的影响，并且对器...
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