技术编号:6221195
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体管,公开了一种。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底,场氧化层,位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极,源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构,位于凹槽外围并与源极和漏极掺杂类型相同的凹形掺杂区域,该凹形掺杂区域中掺杂浓度峰值处的区域为埋层凹槽,该埋层凹槽与凹槽互不接触,上述场氧化层位于半导体衬底上除源极、漏极和凹槽之外的所有区域,凹槽表面有离子敏感膜。与现有技术相比,本发明中的晶体管能够在测量时免遭周围环境中电磁场的干扰,而且测量...
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