技术编号：6222766
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，包括提供待制样器件，选定需分析的目标区域；制备至少一个截面使其靠近目标区域；在目标区域的对应位置沉积保护层；对沉积有保护层的两个表面进行离子束切割；沿两个表面中任一表面相垂直的方向进行离子束切割时，若发现目标区域沿切割方向的上方具有孔洞，则停止该方向的切割，沿另一个表面相垂直的方向进行离子束切割，露出目标区域；完成对待制样器件尺寸要求的切割，制得样品。本发明可以有效避免因孔洞对目标区域形貌产生curtain效应的影响，防止缺陷的产生，提高...
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